光伏單多晶制造門檻進一步抬高。工信部3月1日發(fā)布的新版光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(下稱“規(guī)范條件”)顯示，未來將嚴格控制新上單純擴大產(chǎn)能的光伏制造項目，要求新建和改擴建企業(yè)的多晶硅項目每期規(guī)模不低于3000噸/年，多晶硅電池和單晶硅電池最低光電轉換效率分別不低于19%和21%。

工信部表示，為加強光伏行業(yè)管理，引導產(chǎn)業(yè)加快轉型升級和結構調整，推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國家有關法律法規(guī)及《國務院關于促進光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》(國發(fā)〔2013〕24號)，按照優(yōu)化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應用的原則，制定此次新版規(guī)范條件。

按照規(guī)范條件，在生產(chǎn)布局與項目設立方面，將嚴格控制新上單純擴大產(chǎn)能的光伏制造項目,引導光伏企業(yè)加強技術創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴建多晶硅制造項目，最低資本金比例為30%，其他新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。在生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術方面，光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應滿足多晶硅項目每期規(guī)模不低于3000噸/年、硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸、硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸、硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片、晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp、晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp、薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp、逆變器年產(chǎn)能不低于200MWp(微型逆變器不低于10MWp)等條件。

現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品則應滿足一系列技術指標要求，其中多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉換效率分別不低于18%和19.5%;硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的最低光電轉換效率分別不低于8%、13%、12%、10%。

新建和改擴建企業(yè)及項目產(chǎn)品的技術指標要求則更高：多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉換效率分別不低于19%和21%;硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的最低光電轉換效率分別不低于12%、14%、14%、12%。

此外，規(guī)范條件要求多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率首年分別不高于2.5%和3%，后續(xù)每年不高于0.7%，25年內不高于20%;薄膜電池組件衰減率首年不高于5%，后續(xù)每年不高于0.4%，25年內不高于15%。

在光伏制造項目電耗方面，則應滿足以下要求：現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于60千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克;新建和改擴建項目還原電耗小于50千瓦時/千克，綜合電耗小于80千瓦時/千克。現(xiàn)有硅錠項目平均綜合電耗小于8.5千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克;如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合電耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克。現(xiàn)有硅棒項目平均綜合電耗小于45千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于40千瓦時/千克。現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合電耗小于45萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于40萬千瓦時/百萬片;現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合電耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片。

在光伏制造項目生產(chǎn)水耗方面則應滿足：多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%;硅片項目水耗低于1400噸/百萬片;電池項目水耗低于1500噸/MWp。

規(guī)范條件還在環(huán)境保護、質量管理、安全、衛(wèi)生、監(jiān)督與管理等方面提出一系列要求。

規(guī)范條件自2018年3月1日起實施。2015年3月25日公布的《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2015年本)》(工業(yè)和信息化部公告2015年第23號)同時廢止。